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采用 PowerPAK® 10x12 封装的 40 V MOSFET

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Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET,器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。

新型四代 N 沟道功率 MOSFET

  • 器件占位面积小,采用 BWL 设计,I高达 795 A

  • 可提高功率密度,而且低至 0.21 °C/W 的 RthJC 可优化热性能

Vishay 推出采用 PowerPAK ®  10x12 封装的新型 40 V TrenchFET ®  四代 N 沟道功率 MOSFET,器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E 的导通电阻降低了32 %,同时比采用 TO-263-7L 封装的 40 V MOSFET 的导通电阻低 58 %。
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日前发布的这款器件在 10 V 电压下的典型导通电阻低至 0.34 mΩ,最大限度减少了传导造成的功率损耗,从而提高了效率,同时通过低至 0.21 °C/W 典型值的 RthJC 改善了热性能。SiJK140E 允许设计人员使用一个器件(而不用并联两个器件)实现相同的低导通电阻,从而提高了可靠性,并延长了平均故障间隔时间(MTBF)
MOSFET 采用无线键合(BWL)设计,最大限度减少了寄生电感,同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合(BW)封装的 TO-263-7L 解决方案电流限于 200 A,而 SiJK140E 可提供高达 795 A 的连续漏极电流,以提高功率密度,同时提供强大的 SOA 功能。与 TO-263-7L 相比,器件的 PowerPAK® 10x12 封装占位面积为 120 mm2,可节省 27 % 的 PCB 空间,同时厚度减小 50 %
SiJK140E  非常适合同步整流、热插拔和 OR-ing 功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和 3D 打印机。为了避免这些产品出现共通,标准级 FET 提供了 2.4Vgs 的高阈值电压。MOSFET 符合 RoHS 标准且无卤素,经过 100 % Rg 和 UIS 测试
PPAK10x12 TO-263-7L 规格对比

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Vishay 采用 PowerPAK® 10x12 封装的

新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET


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