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Vishay 通过 AEC-Q200 认证的 0102、0204 和 0207 封装薄膜 MELF 电阻推出提高阻值范围的精密版器件。
Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET，器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。
Vishay 推出四款采用 eSMP® 系列 SMF (DO-219AB) 封装的汽车级器件，进一步扩展其第七代 1200 V FRED Pt® 超快恢复整流器平台阵容。
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
日前，Vishay 宣布，推出适于 IrDA® 应用的升级版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET® 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
Vishay 推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK® 同步降压稳压器，用来提高负载点 (POL) 转换器的功率密度和效率。
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