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Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET,器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。
威世科技宣布,推出一款采用易于吸附焊锡的侧边焊盘 DFN1006-2B 小型封装全新车规级双向单路 ESD 保护二极管。
Vishay Semiconductors VCNL36828P 采用垂直腔面发射激光器 ( VCSEL ) ,在 2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm 小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路 ( ASIC )、16 位 ADC 和智能双 I²C 从机地址。
Vishay 推出两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET,将高边和低边 TrenchFET® Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS 单体封装中。
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