英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P,帮助该公司开发先进的无线功率解决方案,为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。
晶振的诞生过程充满了科学探索和技术革新的色彩,是一段科技与创新的辉煌历程,它深深植根于物理学的基本原理之中,并随着科技的进步而不断演进,晶振技术也经历了从启蒙期到开发期、发展期再到爆发期的演变过程。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
扫描二维码,获取更多的唯样商城产品、技术资讯。
公众号:oneyac