英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。
晶振的诞生过程充满了科学探索和技术革新的色彩，是一段科技与创新的辉煌历程，它深深植根于物理学的基本原理之中，并随着科技的进步而不断演进，晶振技术也经历了从启蒙期到开发期、发展期再到爆发期的演变过程。
继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管 ~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~
楼宇是全球能源消耗和碳排放的主体，为进一步推动低碳化，提高楼宇能效至关重要。我们需要创新的解决方案来优化能源消耗，同时确保健康的室内环境。
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