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Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。
日前,集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商AOS推出两款先进的表面贴片封装选项,扩展其行业领先的高功率MOSFET产品组合。
新推出的CoolSiC™ MOSFET 750V G1是一个高度可靠的SiC MOSFET系列,具有最佳的系统性能和可靠性。
智能音响是一种集成了音频播放、语音交互、智能控制等多种功能的电子设备。它通常由扬声器单元、音频处理芯片、麦克风、无线通信模块(如蓝牙、Wi - Fi)、电源管理单元等部分组成。
Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET,器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。
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公众号:oneyac