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IGBT 和 MOSFET 驱动器-延展型 SO-6 封装,实现紧凑设计、快速开关和高压

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Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型 SO-6 封装的最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器。

最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器
  • 器件峰值输出电流高达 4 A

  • 工作温度高达 +125 °C,传播延迟低至 200 ns


Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型 SO-6 封装的最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器。VOFD341A 和 VOFD343A 的峰值输出电流分别达 3 A 和 4 A,工作温度高达 +125 °C,传播延迟低至 200 ns。

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新发布的光耦合器包含一个 AlGaAs LED(该 LED 通过光学耦合方式连接到具有功率输出级的集成电路,用于太阳能逆变器和微逆变器)、交流和无刷直流工业电机控制逆变器,以及用于 UPS 中交流/直流转换的逆变级。器件非常适合直接驱动额定值达 1200 V / 100 A 的 IGBT
VOFD341A 和 VOFD343A 支持的工作温度高,这为更紧凑的设计提供了更高的温度安全裕量,而器件的高峰值输出电流无需额外的驱动级即可实现更快开关。器件的传播延迟低,可将开关损耗降至最低程度,同时有助于进行更精确的 PWM 调节
光耦合器的高隔离封装可支持高达 1140 V 的高工作电压,因此可用于高压逆变级,同时仍能保持足够的电压安全裕量。这些器件符合 RoHS 规范,可支持高达 50 kV/µs 的抗扰,从而防止在快速开关功率级中出现下降函数。


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