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威世 | 650V E 系列功率 MOSFET,FOM 达到业内先进水平

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Vishay 推出新型第四代 650 V E 系列功率 MOSFET,提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。

Vishay 650 V E 系列 MOSFET

  • 第四代器件

  • 提高额定功率和功率密度

  • 降低导通和开关损耗

  • 提升能效

Vishay  推出新型第四代 650 V E 系列功率 MOSFET,提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。
Vishay Siliconix n 沟道  SiHP054N65E  导通电阻比前代器件降低 48.2 %,同时导通电阻与栅极电荷乘积下降 59 %,该参数是 650 V MOSFET 在功率转换应用中的重要优值系数(FOM)。
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Vishay 丰富的 MOSFET 技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着 SiHP054N65E 的推出,以及其他第四代 600 V E 系列器件的发布,Vishay 可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求,包括功率因数校正(PFC)和后面的 DC/DC 转换器砖式电源。典型应用包括服务器、边缘计算和数据存储;UPS;高强度放电(HID)灯和荧光镇流器;太阳能逆变器;焊接设备;感应加热;电机驱动;以及电池充电器。

SiHP054N65E 采用 Vishay 先进的高能效 E 系列超级结技术,10 V 下典型导通电阻仅为 0.051 Ω,从而提高额定功率支持 2 kW 以上的各种应用,器件满足符合开放计算项目 Open Rack V3(ORV3)标准的需求。此外,这款 MOSFET 超低栅极电荷下降到 72 nC。器件的 FOM 为 3.67 Ω*nC,比同类接近的竞品 MOSFET 低 1.1 %。这些参数表明导通和开关损耗降低,从而达到节能效果,提高能效。器件满足服务器电源钛效应的特殊要求,或通信电源达到 96 % 的峰值效率。

日前发布的 MOSFET 有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr)  典型值分别仅为 115 pF 和 772 pF,可改善硬开关拓扑结构开关性能,如 PFC、半桥和双开关顺向设计。器件的电阻与  Co(tr) 乘积 FOM 低至 5.87 Ω*pF 达到业内先进水平。SiHP054N65E 采用 TO-220AB 封装,提高了 dv/dt 耐用性,符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准,无卤素,耐受雪崩模式下电压瞬变,并保证极限值 100 % 通过 UIS 测试。


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