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AOS | 全新高压aMOS5™FRD系列升级

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全新高压aMOS5™FRD进一步升级,可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求。


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全新高压aMOS5™FRD进一步升级,可满足太阳能/ESS 应用中 LLC、PSFB 转换器以及 H-4 和Cyclo逆变器的高效率需求。





日前,集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 推出两款 aMOS5™ 600V FRD 超结 MOSFET。aMOS5™ 是 AOS 经过市场和应用验证的高压 MOSFET 平台,旨在满足服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电、电机驱动和工业电力应用的高效率和高密度需求。  




现如今中高功率开关模式电源应用 (SMPS) 和太阳能逆变器系统的设计面临着四大挑战:更高的效率、更高的密度、更低的系统成本和更强的稳健性。高压超结 MOSFET 是单相、交错、双升压、CrCM TP PFC、LLC、PSFB、多级 NPC/ANPC 等拓扑的主要选择。




aMOS5™专为具有严苛要求的系统应用而设计,提供理想的的解决方案,满足快速开关、易用性和稳健性等特点。在半桥或全桥 LLC/PFSB 等电源拓扑的应用中,经常需要考虑异常工况例如在系统短路或启动瞬间,此时系统处于硬开关且续流二极管处于反向恢复的状态, aMOS5™ FRD MOSFET 强大的体二极管特性可以完美胜任这一应用场景,进一步提高系统可靠性。本次发布的两款产品 AOK095A60FD (TO-247封装) 和 AOTF125A60FDL (TO-220F封装) 最大导通电阻分别为 95mohm 和 125mohm。经过工程师们实验论证:这两款快恢复体二极管在高达 150°C 的结温下,都能够承受高 di/dt的挑战。此外,实验测试说明,aMOS5™FRD MOSFET方案的关断损耗(Eoff) 明显低于竞争对手,这有助于在轻负载或中负载条件下提高系统效率。





我们推出更多的aMOS5™ 快恢复体二极管方案来满足传统电源、光伏逆变器以及需要双向转换拓扑的 ESS 系统的应用需求。随着储能逆变器市场增长趋势,高压电池组越来越广泛地应用在交流耦合系统中,AOK095A60FDAOTF125A60FDL将成为双向DC/DC和逆变器/PFC应用的行业领先解决方案。


—— Richard Zhang

全球电源业务及高压产品线资深市场总监






技术亮点




  • 坚固耐用的快速恢复二极管 (FRD),具有低反向恢复电荷,可用于更为严苛的应用

  • 最佳的硬开关和软开关性能,具有超低开关损耗

  • 强健的UIS和宽范围安全工作区(SOA)的功能

  • 专为防止自开启设计

  • 适用于 LLC、PSFB、CrCM 图腾柱、多级 NPC 和 CrCM H-4/Cyclo 逆变器应用





关于AOS




Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)为集设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体供应商。AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 Power MOSFET, SiC, IGBT, IPM, TVS, Gate Drivers, Power IC以及数字电源产品系列。AOS开发了广泛的知识产权和技术知识,涵盖功率半导体行业的最新进展,使我们能够引入并创新产品,以满足先进电子产品日益复杂的功率要求。AOS的特色在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计和先进的封装技术,来开发高性能电源管理解决方案。其产品组合广泛应用于包括便携式计算机、平板电视、LED照明、智能手机、电池组、面向消费类和工业类电机控制以及电视、计算机、服务器和电信设备的电源。



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