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安世 | Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关

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Nexperia(安世半导体)近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型 DFN 2020(D)-6封装。



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采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装,并集成BJT和电阻,加倍节省空间


基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型 DFN 2020(D)-6封装新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关,也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是,DFN 封装的RET采用双重空间节省方案,可加倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中,可节省大量电路板空间。此外,无引脚 DFN 封装本身的空间效益较高。这种集成和封装有效融合的战略充分凸显了 Nexperia 力求满足当代电子设备紧凑空间要求的不懈努力。


为了减少元件数量,简化电路板设计,12款新型 RET 将双通道 BJT 与偏置电阻组合在一起,集成在同一封装中。同时还在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻,以创建用于设置基极电压的分压器。进而可实现更精细的微调和更出色的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电阻,因此 RET 适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用,并有助于克服标准 BJT 的温度依赖性。此外,还能降低与贴片以及手动处理相关的成本。

此系列 RET 器件提供双 NPN/NPN 、 NPN/PNP 和 PNP/PNP 选项。与同类竞品器件不同,Nexperia RET 的微型 DFN 2020(D)-6封装尺寸仅为2 mm x 2 mm x 0.65 mm,能够完全提供其规定的500 mA 输出电流。该封装专门用于在高功率应用中实现出色的热性能,可在高达50 V 的集电极-发射极电压(VCEO,基极开路)下提供高达1 W 的总输出功率

Nexperia RET 器件提供标准版和车规级(符合 AEC - Q101标准)版本。该产品组合包含400多种产品,包括单通道和双通道 RET 以及广泛的电阻组合。Nexperia RET 系列产品提供 DFN 和有引脚 SMD 封装,能够满足众多应用的不同需求。



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