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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
FET类型 | N 通道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290pF @ 10V | |
封装/外壳 | CPT3 | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | |
功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | |
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 109 毫欧 @ 5A,10V |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥3.715 总价:¥3.715 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 1611
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 111,000 |
LN4501LT1G | 45,000 |
LP4101LT1G | 30,200 |
PXN012-60QLJ | 18,390 |
S-LN2306ELT1G | 18,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
¥3.715
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100 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.12W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 5.36A(Ta) |
¥2.1879
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4,700 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55℃~175℃ |
¥1.595
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4,332 | 对比 | ||||||||||
![]() |
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
¥1.694
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3,965 | 对比 | ||||||||||
![]() |
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD640N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD640N06LGBTMA1_60V 18A 64mΩ 20V 47W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |