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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290pF @ 10V | |
| 封装/外壳 | CPT3 | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | |
| 功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 109 毫欧 @ 5A,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 1611
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQD50N06 | 30,000 |
| PMLL4148L,115 | 30,000 |
| LN4501LT1G | 25,700 |
| PXN012-60QLJ | 18,880 |
| 100N03A | 12,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
￥3.715
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100 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
￥1.584
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29,567 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.1879
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4,700 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥1.595
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139 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD640N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD640N06LGBTMA1_6.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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