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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4V,10V | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
FET类型 | N 通道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 290pF @ 10V | |
封装/外壳 | CPT3 | |
25°C时电流-连续漏极(Id) | 5A(Ta) | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA | |
功率耗散(最大值) | 15W(Tc) | |
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 109 毫欧 @ 5A,10V |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3周-4周 |
起订量:40 | 倍数:1 |
生产年份 : 2023 年
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQD50N06 | 30,000 |
PMLL4148L,115 | 30,000 |
LN4501LT1G | 25,700 |
PXN012-60QLJ | 18,880 |
100N03A | 12,500 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥4.063
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500 | 当前型号 | |||||||||||
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
¥1.584
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29,567 | 对比 | |||||||||||
ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-3 |
¥2.1879
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4,700 | 对比 | |||||||||||
AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥1.595
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139 | 对比 | |||||||||||
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
IPD640N06L G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD640N06LGBTMA1_6.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |