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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35mΩ@4A,4.5V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SC-96 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.3V @ 1mA |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1 + | ￥1.3359 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥1.3359 总价：￥1.3359 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 1626
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥1.3359
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5 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DMG3420U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V |
暂无价格 | 120,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
￥0.3926
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115,495 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V |
￥0.4131
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22,453 | 对比 | ||||||||||||||
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AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7084
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21,461 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXMN2A14FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1W(Ta) 60mΩ@3.4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.1A |
￥1.1597
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11,795 | 对比 |
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