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功率MOSFET   DPAK

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 DMN6068LK3-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN6068LK3-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
连续漏极电流Id 8.5A
Pd-功率耗散(Max) 8.49W
Qg-栅极电荷 10.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ
漏源极电压Vds 60V
栅极电压Vgs 1V
上升时间 10.8ns
下降时间 8.7ns
典型关闭延迟时间 11.9ns
典型接通延迟时间 3.6ns
正向跨导 - 最小值 19.7S
系列 DMN6068
通道数量 1Channel
配置 Single
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库存 :  867

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥1.793
100+ ¥1.375
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  23+

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
867 当前型号
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥1.815 

阶梯数 价格
30: ¥1.815
100: ¥1.397
1,000: ¥1.166
2,000: ¥0.968
16,065 对比
IRLR024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.738
750: ¥1.551
908 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
500: ¥3.2006
500 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
197 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥3.715 

阶梯数 价格
1: ¥3.715
25: ¥3.4397
100: ¥3.185
100 对比
+1

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