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ROHM 碳化硅SiC MOSFET

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低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷

ROHM推出的碳化硅(SiC)MOSFET,展现了卓越的性能与效率。该器件不仅能在高速运行的同时保持低开关损耗,还得益于其低导通电阻和小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷,这对于提升整体能效至关重要。SiC材料本身具备显著优势,包括导通电阻随温度升高而增加的幅度极小,相较于硅(Si)器件在温度升高时导通电阻可能上升两倍以上的情况,SiC器件在封装微型化和节能方面展现出更为出色的表现。特别是最新推出的第4代SiC MOSFET,在显著提升短路耐受时间的同时,还达成了业界领先的超低导通电阻,加之其低开关损耗和对15V栅-源电压的支持,为设备的进一步节能提供了有力支撑,标志着SiC技术在高效能电力电子应用中的又一重大进步。

upfile

特性:

  • 低导通电阻

  • 快速开关速度快速反向恢复

  • 易于并联易于驱动

  • 封装类型:TO-247;TO-263;TO-3PFM

  • 电压范围:650V~1700V

应用:

On-Board Charger;太阳能发电逆变器;xEV充电桩;主机逆变器

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图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
394
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
448
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
359
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
450

制造商:
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