制造商编号 | IPD640N06L G |
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商品别名 | IPD640N06LGBTMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPD640N06L G |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18A Rds On(Max)@Id,Vgs:64mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):47W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
连续漏极电流Id | 18A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 64mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 47W | |
高度 | 2.3mm | |
长度 | 6.5mm | |
系列 | OptiMOS2 | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 6.22mm | |
下降时间 | 32ns | |
上升时间 | 25ns | |
典型接通延迟时间 | 6ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |