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RSD050N06TL  与  ZXMN6A08KTC  区别

型号 RSD050N06TL ZXMN6A08KTC
唯样编号 A32-RSD050N06TL A36-ZXMN6A08KTC-0
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 15W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.12W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@4.8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 10V 459 pF @ 40 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 5.8 nC @ 10 V
封装/外壳 CPT3 TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 5.36A(Ta)
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 109 毫欧 @ 5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 4,700
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥3.715
25+ :  ¥3.4397
100+ :  ¥3.185
30+ :  ¥2.1879
100+ :  ¥1.6929
1,250+ :  ¥1.4652
2,500+ :  ¥1.386
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥3.715 

阶梯数 价格
1: ¥3.715
25: ¥3.4397
100: ¥3.185
100 当前型号
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.584 

阶梯数 价格
40: ¥1.584
100: ¥1.21
1,250: ¥1.0549
2,500: ¥0.9955
29,567 对比
ZXMN6A08KTC Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥2.1879 

阶梯数 价格
30: ¥2.1879
100: ¥1.6929
1,250: ¥1.4652
2,500: ¥1.386
4,700 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
139 对比
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD640N06L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD640N06LGBTMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

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