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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | TO-252 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 60V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 12A | |
Pd-功率耗散(Max) | 20W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@12A,10V | |
Rds On(Max)@4.5V | 85mΩ | |
VGS(th) | 3 | |
Ciss(pF) | 450 | |
Coss(pF) | 61 | |
Crss(pF) | 27 | |
Qg*(nC) | 3.8 | |
Qgd(nC) | 1.9 | |
Td(on)(ns) | 4.2 | |
Td(off)(ns) | 16 | |
Trr(ns) | 27 | |
Qrr(nC) | 30 | |
工作温度 | -55℃~175℃ |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:40 | 倍数:1 |
生产日期 : 5年内
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥1.595
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259 | 当前型号 | |||||||||||
IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
¥1.815
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16,065 | 对比 | |||||||||||
IRLR024NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
¥2.178
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908 | 对比 | |||||||||||
DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
¥1.793
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867 | 对比 | |||||||||||
RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥4.063
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500 | 对比 | |||||||||||
RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
¥4.063
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197 | 对比 |