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采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高! ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管 ~与普通产品相比,可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~
11月12日,兆易创新GigaDevice 在上海举办了以“勇跃•芯征程”为主题的新品发布会,来自工业和数字能源等领域的行业伙伴齐聚一堂,共襄盛举。
罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管被科索生产的三相电源用3.5kW输 出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。
英飞凌科技股份公司宣布将为零跑汽车最新发布的C16智能电动汽车供应碳化硅(SiC) HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™功率模块和AURIX™微控制器等多款产品。
得益于宽禁带半导体的材料优势,SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同,对驱动设计也提出了更高的要求。。。
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