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7月研讨会 | ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology解读

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ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology解读

近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。GaN作为比肩SiC的第三代半导体,虽然在耐压(650V)及大电流方面并无惊艳之处,但其在开关频率特性上,有着绝对量级上(200kHz以上)的优势。因此,在数据电源、基站电源、小型充电器等一般领域以及OBC、48V系统、激光雷达等车载领域中,可以充分发挥其低功耗、高工作频率的优势。


扫描下方海报,报名本次研讨会,深度探索EcoGaN™与LSI Technology,参与即有机会赢取精美礼品,不容错过!

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研讨会主题


ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology

研讨会时间


2024年7月31日 上午10:00

研讨会提纲


1. GaN的介绍

2. 使用罗姆GaN的产品解决方案

3. 罗姆GaN产品开发路线

研讨会讲师


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陆昀宏 | 经理



2010年加入ROHM。

现任HighPowerSolution经理,负责面向包括车载,工业等各领域的SiC&GaN产品的推广和方案设计。在HighPower产品领域中有着丰富的产品知识面和经验,为客户进行选型指导和技术支持。

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EcoGaN™ 介绍

  • GaN功率器件产品页面

  • EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”

  • ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC技术

  • 基于EcoGaN™系列的创新型电源解决方案


Nano 介绍

  • 实现节能和小型化的罗姆"Nano"电源技术

  • Nano Pulse Control™系列产品

  • “Nano”电源技术小册子

  • 解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术“Nano”


*EcoGaN™ 和 Nano Pulse Control™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。



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