凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia（安世半导体）推出的这款 PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，在紧凑的 8x8 mm 封装尺寸中兼顾低 R_DS(on)和强大线性模式（安全工作区）性能，可满足严苛的热插拔应用要求。此外，Nexperia（安世半导体）还发布了一款 80 V ASFET 产品 PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在响应计算服务器和其他工业应用中使用 48 V 电源轨的增长趋势，在这些应用中，环境条件允许 MOSFET 采用较低的 V_DS 击穿电压额定值。 

在热插拔和软启动应用中，具有增强型 SOA 的 ASFET 越来越受市场欢迎。当容性负载引入带电背板时，这些产品强大的线性模式性能对于高效可靠地管理浪涌电流必不可少。当 ASFET 完全导通时，低 R_DS(on) 对于最大限度地降低 I²R 损耗也同样重要。除了 R_DS(on) 更低且封装尺寸更紧凑之外，Nexperia（安世半导体）的第三代增强 SOA 技术与前几代 D²PAK 封装相比还实现了 10% SOA 性能改进（在 50 V、1 ms 条件下，电流分别为 33 A 和 30 A）。 

Nexperia（安世半导体）的另一项创新在于，用于热插拔的新型 ASFET 完整标示了 25℃ 和 125℃ 下的 SOA 特性。数据手册中提供了经过全面测试的高温下 SOA 曲线，设计工程师无需进行热降额计算，并显著扩展了实用的高温下 SOA 性能。 

到目前为止，适合热插拔和计算应用的 ASFET 通常采用较大尺寸的 D²PAK 封装（16x10 mm）。LFPAK88 封装是 D²PAK 封装的理想替代选项，空间节省效率高达 60%。PSMN2R3-100SSE的 R_DS(on)仅为 2.3 mΩ，相较于现有器件至少降低了 40%。

LFPAK88 不仅将功率密度提高了 58 倍，还提供两倍的 I_D(max) 额定电流以及超低热阻和电阻。该产品结合了 Nexperia（安世半导体）先进的晶圆和铜夹片封装技术的功能优势，包括占用空间更小、R_DS(on) 更低以及 SOA 性能更优。Nexperia（安世半导体）还提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封装的 25 V、30 V、80 V 和 100 V ASFET 系列产品，并针对需要更小 PCB 管脚尺寸的低功耗应用进行了优化。

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