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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
暨2024年6月28日第二届英飞凌汽车创新峰会暨第十一届汽车电子开发者大会上在大中华区重磅发布了英飞凌最新一代AURIX™ TC4x微控制器后，2024年7月到9月，AURIX™ TC4x专题路演在深圳、重庆、北京、上海陆续开展。
继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。
楼宇是全球能源消耗和碳排放的主体，为进一步推动低碳化，提高楼宇能效至关重要。我们需要创新的解决方案来优化能源消耗，同时确保健康的室内环境。
英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
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