首页 > 品牌文章
11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖“年度高性能无源/分立器件”，再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。
采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。
随着科技的发展，空调日渐普及，但是吊扇依旧受到众多消费者的青睐。英飞凌的永磁同步电机吊扇解决方案由非隔离15V、700mA高压（HV）降压转换器ICE5BR2280BZ和单片集成NPN型电压调节器TLE4284供电，采用IM241系列CIPOS™ Micro IPM作为驱动。
10月25日，英飞凌联合业内专家成功举办了一场全球范围的技术论坛，全方位展示了英飞凌储存器解决方案在汽车和工业应用中的最新设计趋势和用例。
在近期举办的创新支付和身份认证解决方案展览会（TRUSTECH）上，英飞凌在展台打造了一个未来主义环保公园，展示了包括由可持续材料制成的环保支付卡、可灵活选择注册方式的生物识别支付卡，以及使用各种电子身份证件和带有超薄电子资料页的护照在鉴权场景中的交互应用等。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
扫描二维码，获取更多的唯样商城产品、技术资讯。
公众号：oneyac
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
