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AOD444  与  IRLR024NTRPBF  区别

型号 AOD444 IRLR024NTRPBF
唯样编号 A36-AOD444 A36-IRLR024NTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@12A,10V 65mΩ@10A,10V
Rds On(Max)@4.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.9 -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
Td(on)(ns) 4.2 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 12A 17A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 450 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 16 -
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 20W 45W(Tc)
Qrr(nC) 30 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
Coss(pF) 61 -
Qg*(nC) 3.8 -
库存与单价
库存 259 16,065
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
30+ :  ¥1.815
100+ :  ¥1.397
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥0.968
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
259 当前型号
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥1.815 

阶梯数 价格
30: ¥1.815
100: ¥1.397
1,000: ¥1.166
2,000: ¥0.968
16,065 对比
IRLR024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.738
750: ¥1.551
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¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
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CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
500: ¥3.2006
500 对比
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
197 对比

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