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AOD444  与  RSD050N06TL  区别

型号 AOD444 RSD050N06TL
唯样编号 A36-AOD444 A33-RSD050N06TL-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27 -
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@12A,10V -
Rds On(Max)@4.5V 85mΩ -
Qgd(nC) 1.9 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 4.2 -
封装/外壳 TO-252 CPT3
连续漏极电流Id 12A -
工作温度 -55℃~175℃ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 450 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 109 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 16 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
Qrr(nC) 30 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 61 -
Qg*(nC) 3.8 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 8nC @ 10V
库存与单价
库存 259 500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
40+ :  ¥4.063
50+ :  ¥3.5934
100+ :  ¥3.2006
500+ :  ¥3.2006
购买数量

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AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
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RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
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