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AOD444  与  DMN6068LK3-13  区别

型号 AOD444 DMN6068LK3-13
唯样编号 A36-AOD444 A36-DMN6068LK3-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 27 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@12A,10V 68mΩ
上升时间 - 10.8ns
Rds On(Max)@4.5V 85mΩ -
Qg-栅极电荷 - 10.3nC
Qgd(nC) 1.9 -
栅极电压Vgs ±20V 1V
正向跨导 - 最小值 - 19.7S
Td(on)(ns) 4.2 -
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 12A 8.5A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 450 -
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 8.7ns
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 16 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 20W 8.49W
Qrr(nC) 30 -
VGS(th) 3 -
典型关闭延迟时间 - 11.9ns
FET类型 N-Channel -
系列 - DMN6068
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3.6ns
Coss(pF) 61 -
Qg*(nC) 3.8 -
库存与单价
库存 139 29,567
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
40+ :  ¥1.584
100+ :  ¥1.21
1,250+ :  ¥1.0549
2,500+ :  ¥0.9955
购买数量

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40: ¥1.584
100: ¥1.21
1,250: ¥1.0549
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