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功率MOSFET   HSMT-8

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制造商编号 RQ3E080GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-RQ3E080GNTB
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:16.7mΩ@8A,10V 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:±20V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 8A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 5.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 3.6ns
下降时间 2.4ns
典型关闭延迟时间 17.3ns
典型接通延迟时间 6.9ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 7S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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