| PDF资料下载 |
|---|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 24A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@8A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
|
暂无价格 |
|
|
最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
|
交期： 3天-5天 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AON7410 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
暂无价格 | 10 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
U-DFN3030-8 |
￥1.628
|
5,500 | 对比 | ||||||||||||||||
|
BSZ040N04LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ040N04LSGATMA1_3.3mm |
￥6.7365
|
4,950 | 对比 | ||||||||||||||||
|
BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ040N04LS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
AON7410L | AOS | 功率MOSFET |
8-DFN-EP(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||
|
DMN3018SFGQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
