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功率MOSFET   8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RQ3E080GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RQ3E080GNTB
供货 严选
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 8A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 5.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 3.6ns
下降时间 2.4ns
典型关闭延迟时间 17.3ns
典型接通延迟时间 6.9ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 7S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  1,629

价格梯度 单价(含税)
130 + ¥1.217
500 + ¥1.1404
1,000 + ¥1.0924
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:1.217

总价:158.21

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:130 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2018 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 288,000
PJD50P04-AU_L2_000A1 114,000
S-LP2408LT1G 102,050
PJA3441_R1_00001 69,000
PSMN6R0-30YLDX 24,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8A 2W 16.7mΩ@8A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.217 

阶梯数 价格
130: ¥1.217
500: ¥1.1404
1,000: ¥1.0924
1,629 当前型号
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) 23mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerDI N-Channel 30V 7A

¥0.9524 

阶梯数 价格
60: ¥0.9524
100: ¥0.6356
1,000: ¥0.5772
9,299 对比
AON7406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 25A 15.5W 17mΩ@10V

¥0.5195 

阶梯数 价格
100: ¥0.5195
500: ¥0.3464
2,500: ¥0.3019
5,000: ¥0.2703
9,165 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V

¥0.682 

阶梯数 价格
80: ¥0.682
500: ¥0.5759
791 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 17 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 24A 20W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C

暂无价格 10 对比
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