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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
连续漏极电流Id | 60A | |
漏源极电压Vds | 150V | |
封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
Pd-功率耗散(Max) | 104W | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.8mΩ@60A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||
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IRF7451 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 3.6A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 90mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7465 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 150V 1.9A(Ta) ±30V 2.5W(Ta) 280mΩ@1.14A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7815 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
43mΩ 150V SO-8 N-Channel 20V 4.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
暂无价格 | 67,479 | 对比 | ||||||
![]() |
FDS86242 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.1A(Ta) ±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) 67m Ohms@4.1A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.1A 8-SOIC |
¥3.663
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449 | 对比 |