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通用MOSFET   TO-263-3

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制造商编号 RSJ650N10TL
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-RSJ650N10TL
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:65A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.1mΩ@32.5A,10V 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:TO-263-3 FET类型:N-Channel
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
连续漏极电流Id 65A
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@32.5A,10V
漏源极电压Vds 100V
封装/外壳 TO-263-3
FET类型 N-Channel
系列 RSJ650N10
Pd-功率耗散(Max) 100W
栅极电压Vgs ±20V
工作温度 -55℃~150℃
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库存 :  100 生产周期:22W

价格梯度 单价(含税)

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