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RQ3E120GNTB  与  IRFH5306  区别

型号 RQ3E120GNTB IRFH5306
唯样编号 A-RQ3E120GNTB A-IRFH5306
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@12A,10V 13.3mΩ
上升时间 4.5ns -
Qg-栅极电荷 10nC -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 10S -
封装/外壳 HSMT-8 PQFN 5 x 6 B
连续漏极电流Id 12A 13A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ptot max - 26.0W
QG - 7.8nC
下降时间 3.4ns -
Budgetary Price €€/1k - 0.32
RthJC max - 4.9K/W
Ptot (@ TA=25°C) max - 3.6W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 2W -
典型关闭延迟时间 25.5ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 3.0nC
Mounting - SMD
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 9.6ns -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.9296
暂无价格
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