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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | DFN 5x6 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
连续漏极电流Id | 30A | |
Pd-功率耗散(Max) | 31W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ@20A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥1.2051 总价:¥1.2051 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-5天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
用于锂电池的保护,具有低Rdson,可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON),逻辑电平栅极驱动,ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级,具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术,可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AON6414A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥1.2051
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502 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRFH8334TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 14A(Ta),44A(Tc) ±20V 3.2W(Ta),30W(Tc) 9mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PQFN 5X6 8L |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7702SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 890mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 12A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRFH8334 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V PQFN 5 x 6 E 13.5mΩ N-Channel 20V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |