| PDF资料下载 |
|---|
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Qg-栅极电荷 | 10nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ@12A,10V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 上升时间 | 4.5ns | |
| 下降时间 | 3.4ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 25.5ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.6ns | |
| 封装/外壳 | HSMT-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 10S | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品，我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商，从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质，可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴（如信和达、富昌电子、RS电子），我们对产品都进行了严格的资质审核，拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务，方便公司的采购与财务对接，具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息，如因自身原因造成的误订错订，唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时，请务必保留原包装和标签，并在两周内联系我们申请退货。
RQ3E120GNTB
严选库存：1570
| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按3000的倍数下单） |
|
| 3,000 + | ￥0.9296 |
|
￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
|
|
|
单价：￥0.9296 总价：￥2,788.8 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
|
最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
|
交期： 请咨询客服 |
| 起订量：3,000 | 倍数：3,000 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 315,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 72,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| LP3418DT2AG | 24,000 |
| PJW4P06A-AU_R2_000A1 | 17,500 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥0.9296
|
0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
AON6414A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.2051
|
502 | 对比 | ||||||||||||
|
NTTFS4928NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
AON7556 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A(Ta),12A(Tc) N-Channel ±20V 10.5 mΩ @ 12A,10V 8-DFN(3x3) 4.1W(Ta),12.5W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
TPN11003NL,LQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 11A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
|
AON7702B | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
13.5A(Ta),20A(Tc) N-Channel ±20V 9.5 mΩ @ 13.5A,10V 8-DFN(3x3) 3.1W(Ta),23W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
