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功率MOSFET   12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

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制造商编号 RQ3E120GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RQ3E120GNTB
供货 自营
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 12A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 10nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 4.5ns
下降时间 3.4ns
典型关闭延迟时间 25.5ns
典型接通延迟时间 9.6ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 10S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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RQ3E120GNTB

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