| 制造商编号 | IRFH5306 |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFH5306 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：30V 封装/外壳：PQFN 5 x 6 B Rds On(Max)@Id,Vgs：13.3mΩ FET类型：N-Channel 栅极电压Vgs：20V
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| Moisture Level | 1 Ohms | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 封装/外壳 | PQFN 5 x 6 B | |
| Tj max | 150.0°C | |
| QG | 7.8nC | |
| Budgetary Price €/1k | 0.32 | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13.3mΩ | |
| Ptot max | 26.0W | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Qgd | 3.0nC | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 3.6W | |
| Mounting | SMD | |
| RthJC max | 4.9K/W | |
| 连续漏极电流Id | 13A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PXN012-60QLJ | 21,000 |
| CQD50N06 | 20,000 |
| PMLL4148L,115 | 20,000 |
| 100N03A | 12,500 |
| LN2308LT1G | 12,000 |
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