首页 > 商品目录 > > > > RQ3E120GNTB代替型号比较

RQ3E120GNTB  与  AON6414A  区别

型号 RQ3E120GNTB AON6414A
唯样编号 A-RQ3E120GNTB A-AON6414A
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@12A,10V 8mΩ@20A,10V
上升时间 4.5ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 31W
Qg-栅极电荷 10nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 25.5ns -
正向跨导 - 最小值 10S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 5x6
连续漏极电流Id 12A 30A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 3.4ns -
典型接通延迟时间 9.6ns -
库存与单价
库存 0 502
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.9296
1+ :  ¥1.2051
100+ :  ¥0.9592
1,000+ :  ¥0.6912
1,500+ :  ¥0.5949
3,000+ :  ¥0.47
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥0.9296 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.9296
0 当前型号
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
IRFH5306 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6B

暂无价格 0 对比
AON7700 AOS 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON7200 AOS 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售