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DMT3006LFG-7  与  RQ3E130BNTB  区别

型号 DMT3006LFG-7 RQ3E130BNTB
唯样编号 A-DMT3006LFG-7 A33-RQ3E130BNTB
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@13A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 27.8W(Tc) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1320 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 22.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PowerVDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A(Ta),55.6A(Tc) 13A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 80
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3006LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 226 对比
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.297 

阶梯数 价格
1: ¥6.297
100: ¥3.6397
1,500: ¥2.3076
3,000: ¥1.6684
84 对比
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