| 制造商编号 | DMT3006LFG-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A-DMT3006LFG-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 27.8W(Tc) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 6mΩ@12A,10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1320 pF @ 15 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 22.6 nC @ 10 V | |
| 封装/外壳 | PowerDI3333-8 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 16A(Ta),55.6A(Tc) | |
| 驱动电压 | 4.5V,10V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ZVP4525E6TA | 1,546 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMT3006LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerVDFN |
暂无价格 | 226 | 对比 | ||||||||||
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RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerVDFN |
￥6.297
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84 | 对比 | ||||||||||
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RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PowerVDFN |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||
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DMT3006LFG-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFH3702TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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