首页 > 商品目录 > > > DMT3006LFG-7代替型号比较

DMT3006LFG-7  与  DMT3006LFG-13  区别

型号 DMT3006LFG-7 DMT3006LFG-13
唯样编号 A-DMT3006LFG-7 A-DMT3006LFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI3333-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 16A(Ta),55.6A(Tc) 16A(Ta),55.6A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 27.8W(Tc) 27.8W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@12A,10V 6mΩ@12A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1320 pF @ 15 V 1320 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 22.6 nC @ 10 V 22.6 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT3006LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 226 对比
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

¥6.297 

阶梯数 价格
1: ¥6.297
100: ¥3.6397
1,500: ¥2.3076
3,000: ¥1.6684
84 对比
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 80 对比
DMT3006LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比
IRFH3702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售