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DMT3006LFG-7  与  IRFH3702TRPBF  区别

型号 DMT3006LFG-7 IRFH3702TRPBF
唯样编号 A-DMT3006LFG-7 A-IRFH3702TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11.8mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.35V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1320 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 22.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A(Ta),55.6A(Tc) 42A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 15V
高度 - 0.95mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 11 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 27.8W(Tc) 2.8W
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 6mΩ@12A,10V -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 9.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 4.5V
正向跨导 - 37S
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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100: ¥3.6397
1,500: ¥2.3076
3,000: ¥1.6684
84 对比
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