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功率MOSFET   

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制造商编号 IRFH3702TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFH3702TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 42A
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.8mΩ
最小栅阈值电压 1.35V
引脚数目 8
晶体管配置
类别 功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max) 2.8W
高度 0.95mm
每片芯片元件数目 1 Ohms
正向跨导 37S
正向二极管电压 1V
宽度 3mm
系列 HEXFET
晶体管材料 Si
典型关断延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 9.6 ns
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