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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 13A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1900pF @ 15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 6mΩ@13A,10V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
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专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 2W(Ta) 6mΩ@13A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON6368 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V |
¥2.5385
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AON7466 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVTFS4C10NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRFH3702TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 42A 11.8mΩ 2.8W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON6594 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 35A 39W 7mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |