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RQ3E130BNTB  与  AON6594  区别

型号 RQ3E130BNTB AON6594
唯样编号 A36-RQ3E130BNTB A-AON6594
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 61
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 7mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 11mΩ
Qgd(nC) - 3.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 5.6
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 13A(Ta) 35A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1037
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.7
Td(off)(ns) - 18
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 39W
Qrr(nC) - 17.2
VGS(th) - 2.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
Coss(pF) - 441
Qg*(nC) - 6.8
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E130BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 13A(Ta) ±20V 2W(Ta) 6mΩ@13A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

暂无价格 0 当前型号
AON6368 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 52A 27W 6.1mΩ@10V

¥2.5385 

阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
3,000 对比
AON7466 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±25V 30A 25W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
NVTFS4C10NTAG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比
IRFH3702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 42A 11.8mΩ 2.8W

暂无价格 0 对比
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.5W(Ta),50W(Tc) ±16V PowerDI3333-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 15A(Ta),75A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比

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