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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
连续漏极电流Id | 200mA | |
Pd-功率耗散(Max) | 150mW | |
Qg-栅极电荷 | 1.4nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@200mA,4.5V | |
漏源极电压Vds | 20V | |
封装/外壳 | SOT-563-6 | |
FET类型 | 2P-Channel | |
系列 | EM6J1 | |
通道数量 | 2Channel | |
配置 | Dual | |
栅极电压Vgs | ±10V | |
工作温度 | -55℃~150℃ |
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专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMZB200UNEYL | 15,500 |
2N7002HR | 12,000 |
S-L2N7002SLT1G | 10,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
RV2C014BCT2CL | 8,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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EM6J1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
200mA 150mW 1.2Ω@200mA,4.5V 20V SOT-563-6 2P-Channel ±10V -55℃~150℃ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 120mW 3.8Ω@100mA,4.5V 20V 1V VMT-6 -55°C~150°C P-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 120mW 3.8Ω@100mA,4.5V 20V 1V VMT-6 -55°C~150°C P-Channel |
暂无价格 | 45 | 对比 | ||||||||
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VT6J1T2CR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
100mA 120mW 3.8Ω@100mA,4.5V 20V 1V VMT-6 -55°C~150°C P-Channel |
¥1.2396
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0 | 对比 | ||||||||
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SSM6P36FE,LM | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
2P-Channel ES6 150°C(TJ) 20V 330mA |
暂无价格 | 0 | 对比 |