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功率MOSFET   SO

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制造商编号 DMG4466SSS-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMG4466SSS-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 478.9pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SO
连续漏极电流Id 10A
Pd-功率耗散(Max) 1.42W
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 25V
上升时间 7.9ns
下降时间 3.1ns
典型关闭延迟时间 14.6ns
典型接通延迟时间 2.9ns
系列 DMG4466
通道数量 1Channel
配置 Single
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库存 :  393

价格梯度 单价(含税)
50+ ¥1.111
100+ ¥0.7381
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:50 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  23+

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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
100: ¥0.7381
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1,500: ¥2.0552
3,000: ¥1.6031
0 对比
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