制造商编号 | DMP1100UCB4-7 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMP1100UCB4-7 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
P-Channel 12V 2.5A(Ta) ±8V 670mW(Ta) 83mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 4-uFBGA,WLBGA 车规
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
系列 | 汽车级,AEC-Q101 | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | 12V | |
连续漏极电流Id | 2.5A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.3V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 820pF @ 6V | |
栅极电压Vgs | ±8V | |
Pd-功率耗散(Max) | 670mW(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 83mΩ@3A,4.5V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 4-uFBGA,WLBGA | |
产品特性 | 车规 |
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DMP1100UCB4-7
严选库存:14764
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PMZB200UNEYL | 15,500 |
2N7002HR | 12,000 |
S-L2N7002SLT1G | 10,000 |
LMN2500N3T5G | 10,000 |
RV2C014BCT2CL | 8,000 |