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DMG4466SSS-13  与  AO4496  区别

型号 DMG4466SSS-13 AO4496
唯样编号 A36-DMG4466SSS-13 A36-AO4496-0
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 55
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ 19.5mΩ@10A,10V
上升时间 7.9ns -
Rds On(Max)@4.5V - 26mΩ
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs 25V ±20V
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 10A 10A
配置 Single -
Ciss(pF) - 550
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 3.1ns -
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.42W 3.1W
Qrr(nC) - 14
VGS(th) - 2.5
典型关闭延迟时间 14.6ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMG4466 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 478.9pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
典型接通延迟时间 2.9ns -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 4.6
库存与单价
库存 393 6,847
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.111
100+ :  ¥0.7381
90+ :  ¥0.5921
200+ :  ¥0.4821
1,500+ :  ¥0.4376
3,000+ :  ¥0.4095
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
100: ¥0.7381
393 当前型号
AO4496 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.5921 

阶梯数 价格
90: ¥0.5921
200: ¥0.4821
1,500: ¥0.4376
3,000: ¥0.4095
6,847 对比
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SO-8

¥3.3397 

阶梯数 价格
490: ¥3.3397
1,000: ¥2.628
1,500: ¥2.0552
3,000: ¥1.6031
0 对比

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