制造商编号 | DMN2400UFD-7 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMN2400UFD-7 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X1-DFN
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.5V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 500nC @ 4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 37pF @ 16V | |
栅极电压Vgs | ±12V | |
Pd-功率耗散(Max) | 400mW(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@200mA,4.5V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | X1-DFN | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 20V | |
连续漏极电流Id | 0.9A |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,000 |
DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
LSI1012XT1G | 14,600 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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DMN2400UFD-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
X1-DFN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
AO5404E_001 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SC-89-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |