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小信号MOSFET   X1-DFN

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制造商编号 DMN2400UFD-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN2400UFD-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:X1-DFN
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参数 参数值 操作
商品目录 小信号MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 500nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 37pF @ 16V
栅极电压Vgs ±12V
Pd-功率耗散(Max) 400mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ@200mA,4.5V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 X1-DFN
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 0.9A
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