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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
系列 | PowerTrench® | |
连续漏极电流Id | 8.4A(Ta) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.6nC @ 5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 560pF @ 15V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 22m Ohms@8.4A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
封装/外壳 | SOIC | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 8.4A | |
封装/外壳 | 8-SOIC |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
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交期: 请咨询客服 |
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 111,000 |
LN4501LT1G | 45,000 |
LP4101LT1G | 30,200 |
PXN012-60QLJ | 18,390 |
S-LN2306ELT1G | 18,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDS6612A | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 22m Ohms@8.4A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 30V 8.4A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃ |
¥0.7975
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9,758 | 对比 | ||||||||||
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AO4496 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10A 3.1W 19.5mΩ@10A,10V -55℃~150℃ |
¥0.5921
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6,837 | 对比 | ||||||||||
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DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±20V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 7.2A(Ta) |
¥0.9564
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4,993 | 对比 | ||||||||||
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DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±25V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 7.3A(Ta) |
¥1.243
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2,046 | 对比 | ||||||||||
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DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 10A 1.42W 33mΩ 30V 25V |
¥1.0978
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1,682 | 对比 |