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功率MOSFET   10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RQ3E100GNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RQ3E100GNTB-1
供货 严选
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 10A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 7.9nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 2.5V
上升时间 4.3ns
下降时间 3.1ns
典型关闭延迟时间 22.4ns
典型接通延迟时间 8.4ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
正向跨导 - 最小值 8S
通道数量 1Channel
配置 Single
工作温度 -55°C~150°C
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库存 :  3,000

价格梯度 单价(含税)
110 + ¥1.3991
500 + ¥1.3224
1,000 + ¥1.2649
2,000 + ¥1.2266
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:1.3991

总价:153.901

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:110 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 288,000
PJD50P04-AU_L2_000A1 114,000
S-LP2408LT1G 102,050
PJA3441_R1_00001 69,000
PSMN6R0-30YLDX 24,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.3991 

阶梯数 价格
110: ¥1.3991
500: ¥1.3224
1,000: ¥1.2649
2,000: ¥1.2266
3,000 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0923
1,250: ¥0.9097
2,500: ¥0.8283
3,725 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7430L AOS 功率MOSFET

9A (Ta),20A (Tc) N-Channel ±20V 12 mΩ @ 20A,10V 8-DFN-EP(3x3) 1.7W (Ta),25W (Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7414 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 20A 15.5W 15mΩ@10V

暂无价格 0 对比
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