首页 > 商品目录 > > > > RQ3E100GNTB代替型号比较

RQ3E100GNTB  与  AON7414  区别

型号 RQ3E100GNTB AON7414
唯样编号 A33-RQ3E100GNTB-1 A-AON7414
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 70
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ 15mΩ@10V
上升时间 4.3ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 20mΩ
Qg-栅极电荷 7.9nC -
Qgd(nC) - 3.6
栅极电压Vgs 2.5V 20V
正向跨导 - 最小值 8S -
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 10A 20A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 595
下降时间 3.1ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9
Td(off)(ns) - 22 Ohms
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 15.5W
Qrr(nC) - 15
VGS(th) - 2.2
典型关闭延迟时间 22.4ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 8.4ns -
Coss(pF) - 98
Qg*(nC) - 6.8
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.3477
100+ :  ¥1.7824
300+ :  ¥1.3991
500+ :  ¥1.3224
1,000+ :  ¥1.2649
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.3477 

阶梯数 价格
70: ¥2.3477
100: ¥1.7824
300: ¥1.3991
500: ¥1.3224
1,000: ¥1.2649
3,000 当前型号
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

¥0.6611 

阶梯数 价格
80: ¥0.6611
2,000: ¥0.6094
4,000 对比
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
100: ¥1.0802
1,250: ¥0.8998
2,500: ¥0.8184
3,725 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7430L AOS 功率MOSFET

9A (Ta),20A (Tc) N-Channel ±20V 12 mΩ @ 20A,10V 8-DFN-EP(3x3) 1.7W (Ta),25W (Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消